錦正茂高低溫真空磁場探針臺探針臺配備4個（可選6個或8個）擁有高精度位移的探針臂，同時配有高精度電子顯微鏡，便于微小樣品的觀察操作。探針可通過直流或者低頻交流信號，用來測試芯片、晶圓片、封裝器件等，廣泛應用于半導體工業、MEMS、超導、電子學、鐵電子學、物理學、材料學和生物醫學等...
點擊詳情2025
9.29隨著電子技術的不斷發展，對于精密微小（納米級）的微電子器件，要去測試它的基本電學性能（如電流、電壓、阻抗等）時配有顯微鏡的高精度探針臺能夠提供良好的電測環境。通過顯微鏡和CCD將待測器件放大，用高精度微探針對待測器件進行扎針再外接電學測試儀表進行測試和分析。此外，對于一些怕氧化、需要保存在真空中的器件，即便在電學測試的過程中也需要將樣品置于真空環境中，因此室溫真空探針臺是這種類型測試的不er選擇。室溫真空探針臺能夠為半導體芯片的電學參數測試提供一個室溫真空測試環境，通過外接不...
點擊詳情2023
6.19根據霍爾效應原理制成的高斯計（特斯拉計）在測量磁場中，有著廣泛的應用。這種儀器是由作為傳感器的霍爾探頭及儀表整機兩部分組成。其中探頭內霍爾元件的尺寸、性能與封裝結構對磁場測量的準確度起著關鍵的作用。霍爾探頭在磁場中因霍爾效應而產生霍爾電壓，測出霍爾電壓后根據霍爾電壓公式和已知的霍爾系數可確定磁感應強度的大小。高斯計的讀數以高斯或特斯拉為單位，高斯是常見非法定計量單位，特〔斯拉〕是法定計量單位。1)不能擅自對高斯計進行修理,拆卸和改造。2)使用規定范圍內的電源,禁止與規定范圍以...
點擊詳情2023
6.15北京錦正茂科技有限公司自主研發的電磁鐵，可以通過更換電磁鐵極頭在一定范圍內改善磁場的大小和磁場的均勻度，并且可以通過調整極頭間距改變磁場的大小，該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設計的磁場平臺兼容。主要用于磁滯現象研究、磁化系數測量、霍爾效應研究、磁光實驗、磁場退火、核磁共振、電子順磁共振、生物學研究、磁性測量、磁性材料取向、磁性產品磁化等研究。技術參數：型號：EM5磁場強度Gs(@20mm)：18500均勻區（@20mm1%）：Φ30*20極面尺寸（mm）：60極柱尺...
點擊詳情2023
6.13很多客戶在選擇磁通計測量磁性材料時，經常會遇到選線圈的問題。因為磁通計只能測量帶有線圈的磁體的磁通。線圈可以是單體線圈、固定B線圈或亥姆霍茲線圈。1.至于單體線圈，可以自己繞在樣品上，也可以做一個比樣品大的套筒，把樣品放在里面拉出來測試。2.測試用固定的B線圈，基本上每個樣品規格一個測試線圈。3.亥姆霍茲線圈可用于測試。亥姆霍茲線圈可用于測量一系列樣品尺寸(這要求客戶提供最小樣品尺寸和最大樣品尺寸)。采用亥姆霍茲線圈測量的磁通計通常更常用。因為使用磁通計(表)時,通常使用永★...
點擊詳情2023
6.13高斯計，是測量物體于空間上一個點的靜態或動態（交流）磁感應強度，由霍爾傳感器（精度更高可選擇磁通門傳感器）.經過物體磁力線穿過產生電流電壓，主設備上面顯示磁感應強度。原理高斯計幾乎都是基于霍爾效應原理進行磁場測量的，采用霍爾傳感器作為磁感應元件。用戶可能會發現這樣的問題，即使在同一個點上，使用不同型號的探頭會產生不同的測量結果。這并非是測量的錯誤，而是由于霍爾傳感器的尺寸不同以及裝配的位置誤差產生的結果。根據不同的需要，正確地選擇高斯計和相應的霍爾探頭尤為重要。與特斯拉計區別...
點擊詳情2023
6.9同一磁體用不同的高斯計/特斯拉計測量，測出數據不同的原因是：1、不同探頭內霍爾元件封裝的位置不同，或元件不在探頭兩側的中部。這些探頭在均勻磁場中，不會因位置上的改變而感受到磁場的改變，測量數據也不會因位置的不同而帶來誤差。當用不同的探頭去測磁體表面發散的、不均勻的磁場時，雖然表面看上去是放到了同一位置，而內部霍爾元件感受到的并不是同一位置的磁場。感受到的場值不同，測量結果當然不一樣。一般，對于徑向探頭，厚度越小，內部霍爾元件離表面越近，測量表面磁場顯示讀數越大，采用超薄探頭去...
點擊詳情2023
6.9磁場線圈基于畢奧-薩法爾定律，以繞組中通電流的形式復現磁場的線圈，用于復現標準磁場，是弱磁場計量測試領域最主要的標準器具之一。按所復現的磁場類型可分為恒定磁場線圈、交變磁場線圈、梯度磁場線圈、脈沖磁場線圈等，按結構可分為螺線管線圈、亥姆霍茲線圈及其他各種組合磁場線圈等，按磁場方向可分為一維磁場線圈、二維磁場線圈、三維磁場線圈等。磁場線圈。應用領域：弱磁場計量標準裝置、磁傳感器校準與測試系統、空間磁場模擬系統等計量測試領域。亥姆霍茲線圈根據產生磁場軸數分類為一維亥姆霍茲霍茲線圈...
點擊詳情2023
6.7SMA-KYK2適用的頻率范圍為0~18GHz，是超小型的、適合半硬或者柔軟射頻同軸電纜的連接，具有尺寸小、性能*、可靠性高、使用壽命長等特點,是應用極為廣泛的射頻同軸連接器之一。但是超小型的接頭在工程中容易被損壞，適合要求高性能的微波應用場合，如微波設備的內部連接。主要性能指標：溫度范圍：-55～+165°C（PECable-40～+85°C）特性阻抗：50Ω頻率范圍：0～18GHz工作電壓：335V(50Ω)r.m.s在海平面上耐壓：1000V(50Ω)r.m.s在海平面...
點擊詳情2023
6.7
